TSEA

TSEA252012
TSEA252012
緊湊小體積一體成型電感

大電流和低損耗的金屬材料一體壓鑄

高性能(Isat)由金屬粉塵芯實現,低損耗由低Rdc實現

閉合磁路設計減少泄漏磁通量

乙烯熱噴涂,更好的表面致密性

極小體積一體成型電感

工作溫度:-55℃~+125℃

適用通信設備、平板電腦、智能手機、便攜式游戲機、智能穿戴、Wi-Fi模塊等

外觀尺寸Outline dimension

TSEA252012

外觀尺寸參數Appearance size / 單位:mm

◆  A:2.5±0.2   ◆  B:2.0±0.2   ◆  C:0.8±0.2   ◆  D:1.2Max.   ◆  E:0.85±0.2   ◆  a:2.6   ◆  b:2.1   ◆  c:0.7  

電氣特性Electrical characteristics / 單位:mm

型號/NO

L/uH

DCR(mΩ)

Irms

(Amperes)

Isat

(Amperes)

PDF

TSEA252012-R10MB
0.10
10.00
10.50
12.50
TSEA252012-R15MB
0.15
11.00
10.00
12.00
TSEA252012-R22MB
0.22
14.00
7.60
9.00
TSEA252012-R24MB
0.24
15.00
7.50
8.80
TSEA252012-R24MG
0.24
15.00
7.50
8.80
TSEA252012-R33MB
0.33
17.00
6.40
7.80
TSEA252012-R47MB
0.47
19.00
6.00
7.00
TSEA252012-R47MBD
0.47
13.00
7.50
8.00
TSEA252012-R47MGD
0.47
13.00
7.50
8.00
TSEA252012-R68MB
0.68
23.00
5.50
6.00
TSEA252012-R68MBD
0.68
18.00
7.00
6.00
TSEA252012-R82MB
0.82
24.00
5.30
5.80
TSEA252012-1R0MB
1.00
42.00
3.60
5.00
TSEA252012-1R0MBD
1.00
22.00
4.50
6.00

注釋

■  K表示電感值的公差為±10%,M表示電感值的公差為±20%

■  K said inductance tolerance is ±10%, M said inductance tolerance is ± 20%

■  所有數據基于環境溫度25℃條件下測試

■  All data is based on testing at an ambient temperature of 25 ℃

■  本頁面未能錄入全部或最新的數據,請您在訂購前向本公司咨詢精準參數及樣品。

■  We were unable to input all or the latest data on this page. Please consult our company for accurate parameters and samples before placing an order

■  測試條件:100KHZ/0.1V

■  Test conditions: 100KHZ/0.1V

提醒

■  保存條件:溫度 5~40°C,相對濕度小于等于 70%。

■  Storage conditions: Temperature between 5-40 ° C, relative humidity less than or equal to 70%.

■  產品儲存期不建議超過 12 個月

■  The storage period of the product is not recommended to exceed 12 months

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